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系統(tǒng)規(guī)格:波長(zhǎng):637nm入射角:連續(xù),30~90°(±0.03°)樣品尺寸:4inch~8inch精度:(1200A SiO2標(biāo)準(zhǔn)片,5times) TKS±2.5A/N±0.005尺寸:80cm×34cm×42cm應(yīng)用:鍍膜工藝 *化及監(jiān)控 SiNx減反膜工藝 TiO2減反膜工藝 復(fù)合SiNx減反膜工藝SiO2鈍化工藝復(fù)合SiNx/SiO2減反膜工藝SiO2掩膜工藝

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

系統(tǒng)規(guī)格:
波長(zhǎng):637nm
入射角:連續(xù),30~90°(±0.03°)
樣品尺寸:4inch~8inch
精度:(1200A SiO2標(biāo)準(zhǔn)片,5times)
TKS±2.5A/N±0.005
尺寸:80cm×34cm×42cm

應(yīng)用:
鍍膜工藝 *化及監(jiān)控
 SiNx減反膜工藝
 TiO2減反膜工藝
 復(fù)合SiNx減反膜工藝
SiO2鈍化工藝
復(fù)合SiNx/SiO2減反膜工藝
SiO2掩膜工藝

軟件特征:
整合量測(cè)、分析、計(jì)算
操作模式安全化
同步原始數(shù)據(jù)呈現(xiàn)
硬件特征:
半導(dǎo)體鐳射光源
三格林泰勒棱鏡偏振系統(tǒng)
波長(zhǎng):260-1800nm
消光比:>105
發(fā)散角:≤3mrad
真空吸附載物臺(tái)
自動(dòng)連續(xù)入射角(零度校正)
高分辨率半導(dǎo)體探測(cè)器


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