傳統(tǒng)光刻技術(shù)是利用電子和光子改變光刻膠的物理化學(xué)性質(zhì)，進(jìn)而得到相應(yīng)的納米圖形。Obducat納米壓印儀EITRE® 3技術(shù)卻可以不使用電子和光子，直接利用物理機(jī)理機(jī)械地在光刻膠上構(gòu)造納米尺寸圖形。目前NIL技術(shù)已經(jīng)可以制作線寬在5nm以下的圖案。鑒于其技術(shù)優(yōu)勢，NIL可應(yīng)用于微電子器件、信息存儲器件、微反應(yīng)器、微/納機(jī)電系統(tǒng)、傳感器、微/納流控器件、生物醫(yī)用界面、光學(xué)及光子學(xué)材料等眾多領(lǐng)域。
Obducat公司成立于1989年，總部位于瑞典隆德，旋涂分公司位于德國拉多爾夫采爾。2000年，Obducat成為將納米壓印技術(shù)商業(yè)化的公司，擁有大的NIL安裝基地。公司擁有SPT軟壓、STU紫外及熱同時壓印和IPS(TM)中間聚合物模版等技術(shù)。作為納米壓印設(shè)備提供商，不斷為公司和科研院校提供可行、低成本、高效益的納米壓印生產(chǎn)及科研的全套解決方案。在發(fā)展和生產(chǎn)下一代的電子消費(fèi)產(chǎn)品如：相機(jī)CMOS傳感器、各種硬盤、存儲介質(zhì)、高亮度LED、平板顯示器和下一代藍(lán)光光盤等方面推波助瀾。
Obducat納米壓印儀EITRE® 3
納米壓印技術(shù)NIL(NanoImprint Lithography technology）類似于古代的印章，是一項圖形轉(zhuǎn)移和復(fù)制技術(shù)。1995年，普林斯頓大學(xué)納米結(jié)構(gòu)實驗室Stephen Y.Chou教授通過機(jī)械力在涂有高分子材料的硅基板上等比例壓印復(fù)制了模版上的納米圖案，其加工分辨率只與模版圖案尺寸有關(guān)，而不受光刻短曝光波長的物理限制，由此引出納米壓印技術(shù)。
納米壓印示意圖
納米壓印流程圖
傳統(tǒng)光刻技術(shù)是利用電子和光子改變光刻膠的物理化學(xué)性質(zhì)，進(jìn)而得到相應(yīng)的納米圖形。NIL技術(shù)卻可以不使用電子和光子，直接利用物理機(jī)理機(jī)械地在光刻膠上構(gòu)造納米尺寸圖形。目前NIL技術(shù)已經(jīng)可以制作線寬在5nm以下的圖案。鑒于其技術(shù)優(yōu)勢，NIL可應(yīng)用于微電子器件、信息存儲器件、微反應(yīng)器、微/納機(jī)電系統(tǒng)、傳感器、微/納流控器件、生物醫(yī)用界面、光學(xué)及光子學(xué)材料等眾多領(lǐng)域。
納米壓印技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域
Obducat納米壓印儀EITRE® 3
The EITRE® Nano Imprint Lithography (NIL) Systems offer a manual and affordable lithography solution, allowing pattern replication in the micro- and nanometer range. The embedded SoftPress® technology ensures excellent residual layer thickness control across the entire imprint area, enabling an accurate pattern transfer.
FULL AREA IMPRINT
SOFTPRESS® TECHNOLOGY
USER-FRIENDLY INTERFACE
MULTIPLE IMPRINT PROCESS CAPABILITY
WIDE RANGE OF CONFIGURATION POSSIBILITIES
SUB-20NM RESIDUAL LAYER THICKNESS
