MPROBE50INSITU–實(shí)時(shí)薄膜厚度測(cè)量?jī)x原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE50INSITU用于測(cè)量薄膜厚度和n原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE50INSITU優(yōu)勢(shì)：1

MPROBE 50 INSITU – 實(shí)時(shí)薄膜厚度測(cè)量?jī)x

原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE 50 INSITU用于測(cè)量薄膜厚度和 n&k（光學(xué)常數(shù)）的實(shí)時(shí)光學(xué)測(cè)量?jī)x。該系統(tǒng)可以在高環(huán)境光下工作，因?yàn)樗褂瞄T控?cái)?shù)據(jù)采集。原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE 50 INSITU使用高強(qiáng)度閃光氙燈在寬帶 ( UV-NIR) 波長(zhǎng)范圍內(nèi)進(jìn)行精確測(cè)量。MProbe 50 系統(tǒng)是可定制的，以支持不同的幾何形狀。原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE 50 INSITU根據(jù)可用的光學(xué)端口，可以使用斜入射或垂直入射。光可以聚焦在樣品表面或準(zhǔn)直。反射探頭可以放置在沉積室光學(xué)端口的外部或內(nèi)部（使用饋通）。MProbe 50 系統(tǒng)沒(méi)有活動(dòng)部件。典型測(cè)量時(shí)間~10ms?？梢钥焖倏煽康販y(cè)量任何半透明薄膜。

原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE 50 INSITU優(yōu)勢(shì)：

1.原位薄膜厚度和 n&k 測(cè)量

2.用于高環(huán)境光環(huán)境下測(cè)量的門控?cái)?shù)據(jù)采集

3.材料：500+ 擴(kuò)展材料數(shù)據(jù)庫(kù)

4.連續(xù)、快速和可靠的測(cè)量

5.靈活的配置——定制以匹配沉積室的幾何形狀

 原位薄膜厚度測(cè)量?jī)x-MPROBE 50 INSITU選型列表：

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