DWL 66+激光光刻系統(tǒng)是經(jīng)濟(jì)型、具有高分辨率的圖形發(fā)生器。適用于小批量掩膜版制作和直寫需求。DWL 66+擁有多種選配模塊，例如:正面和背面對準(zhǔn)系統(tǒng);405nm和375nm波長的激光發(fā)生器;高級選配:位置精度校準(zhǔn)和自動上下版加載系統(tǒng)。

更值得關(guān)注是DWL 66+在灰度曝光模式下的表現(xiàn)，從標(biāo)準(zhǔn)到專業(yè)水平的性能展現(xiàn)，這種多功能技術(shù)對于低對比度正型光刻的厚膠工藝，可以創(chuàng)建復(fù)雜2.5D微結(jié)構(gòu)，常用于微透鏡、DOE、全息圖(CGHs)和紋理表面結(jié)構(gòu)等科研領(lǐng)域。

DWL 66+的高度靈活和可定制的解決方案，專門為您的應(yīng)用量身定做，已成為生命科學(xué)、*封裝、MEMS、微光學(xué)、半導(dǎo)體和所有其他需要微結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中應(yīng)用普遍的光刻研究工具。

DWL 66⁺原理：

利用強(qiáng)度可變的激光束對基片表面的抗蝕材料實(shí)施變劑量曝光，顯影后便在抗蝕層表面形成要求的結(jié)構(gòu)輪廓。

DWL 66⁺具有以下優(yōu)點(diǎn)：

? 高分辨率

? 無掩模光刻

? 多種可選配模塊

? 靈活性與可定制性

? 可以設(shè)定多樣的實(shí)驗(yàn)條件

主要功能

? 光柵掃描曝光

? 快速曝光復(fù)雜的圖形

? 灰度光刻

技術(shù)能力

? 曝光面積：200×200mm2

? 基板尺寸:9”x 9”

? 多個直寫模式

? 特征尺寸：小至300nm

? 書寫速度（4μm分辨率下）:2000mm2/min

? 灰度曝光模式，1000灰度

? 矢量和柵格掃描曝光模式

? 多數(shù)據(jù)輸入格式

? 前后對齊

? 激光波長(405nm或375nm、兩種選擇)

? 實(shí)時自動對焦系統(tǒng)

? 腳本兼容

? 測量和檢驗(yàn)的一體化攝像系統(tǒng)

應(yīng)用

生命科學(xué)、*封裝、MEMS、微光學(xué)、半導(dǎo)體及其他有微納米結(jié)構(gòu)需求的領(lǐng)域。