PE-CVD解決方案與典型CVD反應(yīng)器相比，等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案，同時(shí)不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。高質(zhì)量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積，而CVD需要650℃至850℃的溫度生產(chǎn)類似質(zhì)量的鍍膜。PE-CVD使用電能產(chǎn)生輝光放電(等離子體)，其中能量轉(zhuǎn)移到氣體混合物中。

PE-CVD解決方案

與典型CVD反應(yīng)器相比，等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案，同時(shí)不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。高質(zhì)量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積，而CVD需要650℃至850℃的溫度生產(chǎn)類似質(zhì)量的鍍膜。

PE-CVD使用電能產(chǎn)生輝光放電(等離子體)，其中能量轉(zhuǎn)移到氣體混合物中。這將氣體混合物轉(zhuǎn)化成反應(yīng)性自由基、離子、中性原子和分子，以及其他高活性物質(zhì)。在PE-CVD中，氣相和表面反應(yīng)受到等離子體性質(zhì)的強(qiáng)烈控制。代替熱活化，氣體混合物的電子碰撞電離驅(qū)動(dòng)氣相反應(yīng)，能夠在比常規(guī)CVD工藝低得多的溫度下進(jìn)行沉積。 對(duì)于PE-CVD，沉積速率通常不是基片溫度的強(qiáng)函數(shù)，表面活化能通常很小。然而，薄膜性質(zhì)，例如，組成、應(yīng)力和形態(tài)，通常是基片溫度的強(qiáng)函數(shù)。

等離子體增強(qiáng)CVD的優(yōu)點(diǎn)

PE-CVD鍍膜的一些理想性能包括，良好的粘附性、低針孔密度、良好的保形性，以及平面和三維表面上的均勻性。 PE-CVD的實(shí)用性和靈活性在于，其能夠在從硅片到汽車部件的各種基材上沉積高質(zhì)量的鍍膜。此外，等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)比常規(guī)CVD提供更低的擁有成本。

丹頓真空公司專門從事等離子增強(qiáng)CVD (PE-CVD)，沉積類金剛石(DLC)鍍膜。DLC鍍膜是一類無(wú)定形碳膜，表現(xiàn)出與金剛石相似的性能，例如，硬度、抗刮擦性和高導(dǎo)熱性。此外，DLC鍍膜由于其生物相容性、紅外透明性和電絕緣性能，在商業(yè)方面價(jià)值。丹頓公司已經(jīng)開發(fā)專有的能力，擴(kuò)展DLC的特性范圍，包括抗指紋和疏水性。

我們的 Voyager PE-CVD解決方案提供低溫濺射，具有高度均勻性