電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導(dǎo)體器件制作中的一種重要工藝技術(shù)；它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜。

電子束蒸發(fā)系統(tǒng)是化合物半導(dǎo)體器件制作中的一種重要工藝技術(shù)；它是在高真空狀態(tài)下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融后蒸發(fā)到所需基片上形成金屬膜?？烧舭l(fā)很多難熔金屬或者蒸汽壓低的金屬材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…

技術(shù)參數(shù)：
1. 蒸發(fā)室尺寸：24"×24"×21"；

2. 極限真空度：≤5×10-7托；

3. 電子槍功率： 6千瓦可調(diào)；

4. 蒸發(fā)速率：可由晶體振蕩器監(jiān)控厚度和沉積速率；

5. 可蒸發(fā)金屬膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；

6. 膜厚度誤差 ≤±5%，膜厚均勻性誤差 ≤±5% 。

主要特點(diǎn)：
1. 安全簡(jiǎn)易的軟件操作系統(tǒng)，四個(gè)不同級(jí)別的用戶權(quán)限（操作、工藝、工程師以及維修保養(yǎng)）較大限度的保證系統(tǒng)的安全。

2. 雙腔設(shè)計(jì)：蒸發(fā)材料和晶片分別處于不同的腔體中，使得源材料的更換和晶片的裝載過(guò)程中限度的保證腔體的潔凈程度和縮短抽真空的時(shí)間。

3. 較大的前腔門(mén)使得在維修和保養(yǎng)的過(guò)程中極為方便。

4. 采用衛(wèi)星旋轉(zhuǎn)式晶片裝載夾具，可以根據(jù)不同的產(chǎn)量的需要升級(jí)晶片直徑或增加夾具的數(shù)量。衛(wèi)星旋轉(zhuǎn)式夾具保證了沉積薄膜的均勻性。