nanoVoxel 2000系列X射線三維顯微CT突破了傳統(tǒng)的光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡等表面顯微成像技術(shù)的局限性，以較高的分辨率和襯度，解密樣品內(nèi)部三維結(jié)構(gòu)信息。
nanoVoxel 2000系列X射線三維顯微CT將很大限度的保護(hù)貴重樣品的原貌和利用率，滿足跨尺寸樣品從宏觀到微觀不同分辨率的成像需求，為業(yè)內(nèi)提供了全新的高分辨率3D/4D檢測技術(shù)解決方案。

產(chǎn)品特點(diǎn)

長工作距離下的微納米空間分辨率成像 

       nanoVoxel 2000系列X射線三維顯微CT，不受樣品尺寸、和外部環(huán)境的影響，在距離射線源數(shù)毫米至數(shù)厘米的工作距離上仍能獲得高達(dá)500納米的真實(shí)空間分辨率。

突破性的二級光學(xué)放大

        突破了傳統(tǒng)斷層成像（簡稱CT）技術(shù)中單純依賴大視野平板探測器一級幾何放大成像的原理，通過二級光學(xué)放大技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了超越傳統(tǒng)斷層成像技術(shù)的無損三維亞微米級別的高分辨率、高襯度成像。

無限接近同步輻射的高吸收/相位襯度成像系統(tǒng) 

       基于的吸收襯度成像、相位襯度成像和超分辨成像技術(shù)，使得nanoVoxel 2000系列X射線三維顯微CT通用性大大提升，應(yīng)用領(lǐng)域從低原子序數(shù)的軟材料，如不同纖維復(fù)合材料、泡沫材料、高分子材料、動(dòng)物軟組織，到高原子序數(shù)的巖石、合金、金剛石、電子器件等，均可提供高對比度、出色圖像質(zhì)量的結(jié)構(gòu)信息。演繹了同步輻射光源實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)的相稱成像效果。

簡單的操作流程 

       可進(jìn)行全自動(dòng)樣品掃描，實(shí)驗(yàn)條件簡單，無需復(fù)雜制樣，無需真空環(huán)境，降低了對設(shè)備操作人員的專業(yè)要求。 

產(chǎn)品優(yōu)勢

 nanoVoxel 2000實(shí)現(xiàn)了低成本、高性能X射線三維顯微CT技術(shù)解決方案，多種光源、多款平板探測器、光耦探測器的選擇可靈活應(yīng)對多類樣品不同尺寸、不同分辨率的成像需求。

應(yīng)用領(lǐng)域

材料

      在材料科學(xué)中，材料的宏觀性能與其微觀結(jié)構(gòu)類型密切相關(guān)。在材料的制備和使用過程中，對材料內(nèi)部的孔隙、夾雜、裂紋以及為材料微觀結(jié)構(gòu)的三維空間的數(shù)量、體積分?jǐn)?shù)、分布等信息的準(zhǔn)確掌握，有利于分析材料的缺陷信息與力學(xué)性能的關(guān)系，辨別缺陷在材料失效中的作用，進(jìn)而幫助進(jìn)行失效機(jī)理的研究，以優(yōu)化和改善材料的質(zhì)量。X射線三維顯微成像技術(shù)在材料領(lǐng)域的應(yīng)用將更快的促進(jìn)新材料工藝研發(fā)以及材料性能提升。                                                                    
石油/地質(zhì)科學(xué)

      無損三維定量表征、描述、分析來自于地表出露和井下巖芯、巖屑進(jìn)而得到巖性信息，為石油勘探、儲(chǔ)層研究、油氣儲(chǔ)運(yùn)及非常規(guī)油氣田領(lǐng)域的發(fā)展制定全新的技術(shù)方案。強(qiáng)大的數(shù)字巖心分析軟件系統(tǒng)，將獲得的巖芯結(jié)構(gòu)信息轉(zhuǎn)換成模擬真實(shí)樣品的數(shù)值網(wǎng)絡(luò)，建立大型虛擬數(shù)字巖芯庫。為巖石物理學(xué)專家和油氣工程師提供方便、快捷、全面的儲(chǔ)層信息，制定更明智的解決方案。     

電子元器件

      X射線無損三維檢測可以直觀顯示元器件表面及其內(nèi)部一定深度的結(jié)構(gòu)，有助于電子元件封裝過程中內(nèi)部缺陷的檢測。可針對但不限于球柵陣列器件BGA浸潤不良、內(nèi)部裂紋、空洞、多錫、少錫等問題，以及復(fù)雜精密組裝部件中的壞件、錯(cuò)件、隱藏元件、PCB開/短路、功能失效，腳翹、腳彎等問題進(jìn)行無損三維成像檢測，還可廣泛應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體器件、超大規(guī)模集成電路以及量子功能器件等新型交叉研究領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)無損表征產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及位置關(guān)系、內(nèi)部成分構(gòu)成比例檢測，洞察微失效及加工缺陷，在電子封裝領(lǐng)域開展多方面的研究工作。